رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTHD2102PT1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTHD2102PT1G-DG
وصف:
MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 8V 3.4A 1.1W Surface Mount ChipFET™
المخزون:
12841087
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTHD2102PT1G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 P-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
8V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.4A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
58mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
16nC @ 2.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
715pF @ 6.4V
الطاقة - الحد الأقصى
1.1W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SMD, Flat Lead
حزمة جهاز المورد
ChipFET™
رقم المنتج الأساسي
NTHD21
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
NTHD2102PT1GOSTR
NTHD2102PT1GOS
=NTHD2102PT1GOSCT-DG
NTHD2102PT1GOSCT
NTHD2102PT1GOS-DG
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
QJD1210SA1
SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE
NVMFD5C478NWFT1G
MOSFET 2N-CH 40V 9.8A/27A 8DFN
MCH6662-TL-H
MOSFET 2N-CH 20V 2A 6MCPH
