NTHS2101PT1

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

NTHS2101PT1

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

NTHS2101PT1-DG

وصف:

MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET

وصف تفصيلي:

P-Channel 8 V 5.4A (Tj) 1.3W (Ta) Surface Mount ChipFET™

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12844776

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

NTHS2101PT1 المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

-

سلسلة

-

حالة المنتج

Obsolete

نوع FET

P-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

8 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

5.4A (Tj)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

1.8V, 4.5V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

25mOhm @ 5.4A, 4.5V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

1.5V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

30 nC @ 4.5 V

Vgs (ماكس)

±8V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

2400 pF @ 6.4 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

1.3W (Ta)

درجة حرارة التشغيل

-

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

ChipFET™

العبوة / العلبة

8-SMD, Flat Lead

رقم المنتج الأساسي

NTHS21

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

3,000

اسماء اخرى

2156-NTHS2101PT1-ONTR

ONSONSNTHS2101PT1

NTHS2101PT1OS

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

RoHS non-compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

onsemi

NTB30N06LT4G

MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK

AONX36372

MOSFET N-CH ASYMMETRIC

onsemi

NVMFS4C302NWFT1G

MOSFET N-CH 30V 43A/241A 5DFN

alpha-and-omega-semiconductor

AOTF292L

MOSFET N-CH 100V 70A TO220F