الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
جمهورية الكونغو الديمقراطية
الأرجنتين
تركيا
رومانيا
لتوانيا
النرويج
النمسا
أنغولا
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
بيلاروسيا
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
الجبل الأسود
الروسية
بلجيكا
السويد
صربيا
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
مولدافيا
ألمانيا
هولندا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
فرنسا
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
البرتغال
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
إسبانيا
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTJD4158CT1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTJD4158CT1G-DG
وصف:
MOSFET N/P-CH 30V/20V SC88
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V, 20V 250mA, 880mA 270mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
المخزون:
14230 قطع جديدة أصلية في المخزون
12840115
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTJD4158CT1G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
N and P-Channel
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V, 20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
250mA, 880mA
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.5Ohm @ 10mA, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 100µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
1.5nC @ 5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
33pF @ 5V
الطاقة - الحد الأقصى
270mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
SC-88/SC70-6/SOT-363
رقم المنتج الأساسي
NTJD4158
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
NTJD4158C
مخططات البيانات
NTJD4158CT1G
ورقة بيانات HTML
NTJD4158CT1G-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
NTJD4158CT1G-DG
NTJD4158CT1GOSTR
NTJD4158CT1GOSDKR
=NTJD4158CT1GOSCT-DG
NTJD4158CT1GOSCT
Q3836699Z
ONSONSNTJD4158CT1G
2156-NTJD4158CT1G-OS
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
MVDF2C03HDR2G
MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
MCH6662-TL-W
MOSFET 2N-CH 20V 2A SC88FL
QJD1210SA2
SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE
ECH8651R-TL-H
MOSFET 2N-CH 24V 10A 8ECH