رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTMFS4854NST3G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTMFS4854NST3G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 25V 15.2A/149A SO8FL
وصف تفصيلي:
N-Channel 25 V 15.2A (Ta), 149A (Tc) 900mW (Ta), 86.2W (Tc) Surface Mount SO-8FL
المخزون:
12840298
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTMFS4854NST3G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
SENSEFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
25 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
15.2A (Ta), 149A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
3.2V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
85 nC @ 11.5 V
Vgs (ماكس)
±16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4830 pF @ 12 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
900mW (Ta), 86.2W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SO-8FL
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
NTMFS4
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
2156-NTMFS4854NST3G
2156-NTMFS4854NST3G-ONTR-DG
ONSONSNTMFS4854NST3G
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NTMFS4C03NT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
2249
DiGi رقم الجزء
NTMFS4C03NT1G-DG
سعر الوحدة
0.76
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRLHM620TRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
20776
DiGi رقم الجزء
IRLHM620TRPBF-DG
سعر الوحدة
0.36
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NDD03N60ZT4G
MOSFET N-CH 600V 2.6A DPAK
FDU8796
MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK
FQU5N60CTU
MOSFET N-CH 600V 2.8A IPAK
