NTMFS4935NBT1G

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

NTMFS4935NBT1G

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

NTMFS4935NBT1G-DG

وصف:

MOSFET N-CH 30V 13A/93A 5DFN

وصف تفصيلي:

N-Channel 30 V 13A (Ta), 93A (Tc) 930mW (Ta), 48W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12843127

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

NTMFS4935NBT1G المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

-

سلسلة

-

حالة المنتج

Obsolete

نوع FET

N-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

30 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

13A (Ta), 93A (Tc)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

4.5V, 10V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

3.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

2V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

49.4 nC @ 10 V

Vgs (ماكس)

±20V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

4850 pF @ 15 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

930mW (Ta), 48W (Tc)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

العبوة / العلبة

8-PowerTDFN, 5 Leads

رقم المنتج الأساسي

NTMFS4

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

NTMFS4935NBT1G-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية

1,500

اسماء اخرى

ONSONSNTMFS4935NBT1G

2156-NTMFS4935NBT1G-ONTR

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

infineon-technologies

94-2113

MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK

infineon-technologies

BSC072N025S G

MOSFET N-CH 25V 15A/40A TDSON

onsemi

NVMFS5C430NT3G

MOSFET N-CH 40V 5DFN

onsemi

MCH3375-TL-W

MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70