NTMFS4935NBT3G
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

NTMFS4935NBT3G

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

NTMFS4935NBT3G-DG

وصف:

MOSFET N-CH 30V 13A/93A 5DFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 13A (Ta), 93A (Tc) 930mW (Ta), 48W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

المخزون:

12845076
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

NTMFS4935NBT3G المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
13A (Ta), 93A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
49.4 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4850 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
930mW (Ta), 48W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN, 5 Leads
رقم المنتج الأساسي
NTMFS4935

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
5,000

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

NTTFS5116PLTWG

MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN

onsemi

NTD3808NT4G

MOSFET N-CH 16V 12A/76A DPAK

alpha-and-omega-semiconductor

AOTF20C60P

MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3F

onsemi

NTLUS3C18PZTBG

MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN