NTMFS4C59NT1G
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

NTMFS4C59NT1G

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

NTMFS4C59NT1G-DG

وصف:

MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 9A (Ta), 52A (Tc) 760mW (Ta) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

المخزون:

1500 قطع جديدة أصلية في المخزون
12856520
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

NTMFS4C59NT1G المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9A (Ta), 52A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
22.2 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1252 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
760mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN, 5 Leads
رقم المنتج الأساسي
NTMFS4

معلومات إضافية

الباقة القياسية
1,500
اسماء اخرى
NTMFS4C59NT1GOSTR
2156-NTMFS4C59NT1G-OS
NTMFS4C59NT1GOSCT
NTMFS4C59NT1G-DG
NTMFS4C59NT1GOSDKR
ONSONSNTMFS4C59NT1G

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
onsemi

NVD3055-094T4G

MOSFET N-CH 60V 12A DPAK

onsemi

NVATS4A102PZT4G

MOSFET P-CHANNEL 30V 44A ATPAK

onsemi

NTR2101PT1G

MOSFET P-CH 8V SOT23-3

onsemi

NTMFS4939NT3G

MOSFET N-CH 30V 9.3A/53A 5DFN