رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTMFS5C645NT1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTMFS5C645NT1G-DG
وصف:
60 V 4.5 M 94 A SINGLE N CHANNEL
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 20A (Ta), 94A (Tc) 3.7W (Ta), 80W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
المخزون:
1458 قطع جديدة أصلية في المخزون
13000888
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTMFS5C645NT1G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Last Time Buy
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
20A (Ta), 94A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
20.4 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1510 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.7W (Ta), 80W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN, 5 Leads
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,500
اسماء اخرى
488-NTMFS5C645NT1GCT
488-NTMFS5C645NT1GTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
RS6L120BGTB1
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
2236
DiGi رقم الجزء
RS6L120BGTB1-DG
سعر الوحدة
1.53
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
RS6L090BGTB1
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
2206
DiGi رقم الجزء
RS6L090BGTB1-DG
سعر الوحدة
0.91
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
G40P03K
P-30V,RD(MAX)<9.5M@-10V,RD(MAX)<
MSCSM120SKM31CTBL1NG
PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1
DMT69M5LCG-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
