رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTMFS5C646NLT1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTMFS5C646NLT1G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 19A 5DFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 19A (Ta) 3.7W (Ta), 79W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
المخزون:
54 قطع جديدة أصلية في المخزون
12842906
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTMFS5C646NLT1G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
19A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
33.7 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2164 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.7W (Ta), 79W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN, 5 Leads
رقم المنتج الأساسي
NTMFS5
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,500
اسماء اخرى
NTMFS5C646NLT1GOSDKR
NTMFS5C646NLT1GOSTR
NTMFS5C646NLT1GOSCT
ONSONSNTMFS5C646NLT1G
2156-NTMFS5C646NLT1G-OS
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
RS6L120BGTB1
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
2236
DiGi رقم الجزء
RS6L120BGTB1-DG
سعر الوحدة
1.53
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
RS6L090BGTB1
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
2206
DiGi رقم الجزء
RS6L090BGTB1-DG
سعر الوحدة
0.91
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTB60N06G
MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
NTTFS4943NTWG
MOSFET N-CH 30V 8A/41A 8WDFN
NVMYS014N06CLTWG
MOSFET N-CH 60V 12A/36A 4LFPAK
