رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTMFS6H836NLT1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTMFS6H836NLT1G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 80V 16A/77A 5DFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 80 V 16A (Ta), 77A (Tc) 3.7W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
المخزون:
12975639
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTMFS6H836NLT1G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
16A (Ta), 77A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6.2mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 95µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1950 pF @ 40 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.7W (Ta), 89W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN, 5 Leads
رقم المنتج الأساسي
NTMFS6
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,500
اسماء اخرى
488-NTMFS6H836NLT1GCT
488-NTMFS6H836NLT1GTR
488-NTMFS6H836NLT1GDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
RS6N120BHTB1
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
1763
DiGi رقم الجزء
RS6N120BHTB1-DG
سعر الوحدة
1.14
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
NVMFS6H836NLT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
1500
DiGi رقم الجزء
NVMFS6H836NLT1G-DG
سعر الوحدة
0.45
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSS138HE3-TP
N-CHANNEL MOSFET SOT-23
MSC360SMA120SA
MOSFET SIC 1200 V 360 MOHM TO-26
SL3007-TP
P-CHANNEL MOSFET, SOT-23-3L
