رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTMFS7D8N10GTWG
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTMFS7D8N10GTWG-DG
وصف:
N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 14A (Ta), 110A (Tc) 3W (Ta), 187W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
المخزون:
12964249
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTMFS7D8N10GTWG المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
14A (Ta), 110A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
7.6mOhm @ 48A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 254µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6180 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3W (Ta), 187W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-PQFN (5x6)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
488-NTMFS7D8N10GTWGCT
488-NTMFS7D8N10GTWGTR
488-NTMFS7D8N10GTWGDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SQ7415CENW-T1_GE3
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60-V (D-S)
NTBG015N065SC1
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
NTPF095N65S3H
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
