رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTP165N65S3H
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTP165N65S3H-DG
وصف:
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 19A (Tc) 142W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
523 قطع جديدة أصلية في المخزون
12950501
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTP165N65S3H المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
SuperFET® III
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
19A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
165mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 1.6mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1808 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
142W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
488-NTP165N65S3H
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
MSJP20N65A-BP
المُصنِّع
Micro Commercial Co
الكمية المتاحة
30050
DiGi رقم الجزء
MSJP20N65A-BP-DG
سعر الوحدة
1.47
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTP067N65S3H
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
NTBGS002N06C
POWER MOSFET, 60 V, 2.2 M?, 211
NTH4LN095N65S3H
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
