رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTP2955G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTP2955G-DG
وصف:
MOSFET P-CH 60V 2.4A TO220AB
وصف تفصيلي:
P-Channel 60 V 2.4A (Ta) 2.4W (Ta), 62.5W (Tc) Through Hole TO-220
المخزون:
12843357
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTP2955G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.4A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
196mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
700 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.4W (Ta), 62.5W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
NTP2955
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
2156-NTP2955G-OS
NTP2955GOS
ONSONSNTP2955G
NTP2955G-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF9Z34PBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
1262
DiGi رقم الجزء
IRF9Z34PBF-DG
سعر الوحدة
0.69
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP10P6F6
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
555
DiGi رقم الجزء
STP10P6F6-DG
سعر الوحدة
0.62
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRF9Z24NPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
1872
DiGi رقم الجزء
IRF9Z24NPBF-DG
سعر الوحدة
0.25
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AUIRLL2705TR
MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT223
MCH3383-TL-W
MOSFET P-CH 12V 3.5A SC70
NDBA170N06AT4H
MOSFET N-CH 60V 170A D2PAK
