رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTP6412ANG
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTP6412ANG-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 58A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 58A (Tc) 167W (Tc) Through Hole TO-220
المخزون:
114 قطع جديدة أصلية في المخزون
12938885
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTP6412ANG المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
58A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
18.2mOhm @ 58A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3500 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
167W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
NTP6412
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
NTP6412ANGOS
ONSONSNTP6412ANG
2156-NTP6412ANG-OS
NTP6412ANG-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTMFS4C028NT3G
MOSFET N-CH 30V 16.4A/52A 5DFN
UPA1803GR-9JG-E1-A
MOSFET N-CH 30V 8-TSSOP
SSVD5804NT4G
MOSFET N-CH 40V 69A DPAK