رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTRV4101PT1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTRV4101PT1G-DG
وصف:
MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 1.8A (Ta) 420mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
المخزون:
4020 قطع جديدة أصلية في المخزون
12842997
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
OcAX
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTRV4101PT1G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.8A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.8V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
85mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
8.5 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
675 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
420mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3 (TO-236)
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
NTRV4101
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
NTRV4101PT1GOSDKR
ONSONSNTRV4101PT1G
488-NTRV4101PT1GTR
NTRV4101PT1G-DG
NTRV4101PT1GOSTR-DG
488-NTRV4101PT1GCT
488-NTRV4101PT1GDKR
NTRV4101PT1GOSCT-DG
NTRV4101PT1GOSCT
NTRV4101PT1GOSDKR-DG
NTRV4101PT1GOSTR
2156-NTRV4101PT1G-OS
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTHL040N65S3HF
MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
AUIRF4905
MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB
NTP75N06L
MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
