رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTZD3155CT1H
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTZD3155CT1H-DG
وصف:
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 540mA, 430mA 250mW Surface Mount SOT-563
المخزون:
12841912
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTZD3155CT1H المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
N and P-Channel
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
540mA, 430mA
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
550mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
2.5nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
150pF @ 16V
الطاقة - الحد الأقصى
250mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-563, SOT-666
حزمة جهاز المورد
SOT-563
رقم المنتج الأساسي
NTZD3155
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
CMLDM3757 TR PBFREE
المُصنِّع
Central Semiconductor Corp
الكمية المتاحة
23675
DiGi رقم الجزء
CMLDM3757 TR PBFREE-DG
سعر الوحدة
0.14
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTJD2152PT1
MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SC88
NTMFD4C87NT3G
MOSFET 2N-CH 30V 11.7A 8DFN
NDS9943
MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.8A 8SOIC
