رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTZS3151PT5G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTZS3151PT5G-DG
وصف:
MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 860mA (Ta) 170mW (Ta) Surface Mount SOT-563
المخزون:
12858899
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTZS3151PT5G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
860mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.8V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
150mOhm @ 950mA, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
5.6 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
458 pF @ 16 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
170mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-563
العبوة / العلبة
SOT-563, SOT-666
رقم المنتج الأساسي
NTZS3151
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
8,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NTZS3151PT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
17660
DiGi رقم الجزء
NTZS3151PT1G-DG
سعر الوحدة
0.07
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NVTFS5811NLTWG
MOSFET N-CH 40V 16A 8WDFN
NTD23N03R-1G
MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A IPAK
NTTFS4945NTWG
MOSFET N-CH 30V 7.1A/34A 8WDFN
