رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NVATS5A112PLZT4G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NVATS5A112PLZT4G-DG
وصف:
MOSFET P-CH 60V 27A ATPAK
وصف تفصيلي:
P-Channel 60 V 27A (Ta) 48W (Tc) Surface Mount DPAK/ATPAK
المخزون:
12857707
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NVATS5A112PLZT4G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
27A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
43mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.6V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
33.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1450 pF @ 20 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
48W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DPAK/ATPAK
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
NVATS5
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
NVATS5A112PLZT4G-DG
ONSONSNVATS5A112PLZT4G
NVATS5A112PLZT4GOSCT
2156-NVATS5A112PLZT4G-OS
NVATS5A112PLZT4GOSDKR
NVATS5A112PLZT4GOSTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NVD5117PLT4G-VF01
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
NVD5117PLT4G-VF01-DG
سعر الوحدة
1.14
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
TSM680P06CH X0G
المُصنِّع
Taiwan Semiconductor Corporation
الكمية المتاحة
8799
DiGi رقم الجزء
TSM680P06CH X0G-DG
سعر الوحدة
0.24
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NP82N04PDG-E1-AY
MOSFET N-CH 40V 82A TO263
NTD2955PT4G
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
NTTFS4965NFTAG
MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN
