رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NVC3S5A51PLZT1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NVC3S5A51PLZT1G-DG
وصف:
MOSFET P-CH 60V 1.8A 3CPH
وصف تفصيلي:
P-Channel 60 V 1.8A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount 3-CPH
المخزون:
12844032
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NVC3S5A51PLZT1G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.8A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
250mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.6V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
262 pF @ 20 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.2W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
3-CPH
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
NVC3S5
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
NVC3S5A51PLZT1GOSCT
NVC3S5A51PLZT1GOSDKR
NVC3S5A51PLZT1GOSTR
2156-NVC3S5A51PLZT1G-OS
ONSONSNVC3S5A51PLZT1G
NVC3S5A51PLZT1G-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TSM2309CX RFG
المُصنِّع
Taiwan Semiconductor Corporation
الكمية المتاحة
68912
DiGi رقم الجزء
TSM2309CX RFG-DG
سعر الوحدة
0.10
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
NVR5124PLT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
NVR5124PLT1G-DG
سعر الوحدة
0.12
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
MCH6320-TL-W
MOSFET P-CH 12V 3.5A MCPH6
NTMTS0D7N04CTXG
MOSFET N-CH 40V 65A/420A 8DFNW
AO4485L
MOSFET P-CH 40V 10A 8SOIC
