رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NVD4810NT4G-TB01
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NVD4810NT4G-TB01-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 9A/54A DPAK-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 9A (Ta), 54A (Tc) 1.4W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount DPAK-3
المخزون:
12859387
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NVD4810NT4G-TB01 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9A (Ta), 54A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
10mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
21 nC @ 11.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1350 pF @ 12 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.4W (Ta), 50W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DPAK-3
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
NVD481
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NVD4C05NT4G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
NVD4C05NT4G-DG
سعر الوحدة
0.74
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPD30N03S4L09ATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
48073
DiGi رقم الجزء
IPD30N03S4L09ATMA1-DG
سعر الوحدة
0.31
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FDD6670A
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
11312
DiGi رقم الجزء
FDD6670A-DG
سعر الوحدة
0.42
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
N0604N-S19-AY
MOSFET N-CH 60V 82A TO220
NTD3055L104T4G
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
NTD30N02G
MOSFET N-CH 24V 30A DPAK
