رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NVMD6P02R2G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NVMD6P02R2G-DG
وصف:
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 4.8A 750mW Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
12842275
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NVMD6P02R2G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 P-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.8A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
33mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
35nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1700pF @ 16V
الطاقة - الحد الأقصى
750mW
درجة حرارة التشغيل
-
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
رقم المنتج الأساسي
NVMD6
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
2156-NVMD6P02R2G-OS
ONSONSNVMD6P02R2G
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
MCH6663-TL-H
MOSFET N/P-CH 30V 1.8A 6MCPH
NTMFD5C650NLT1G
MOSFET 2N-CH 60V 21A/111A 8DFN
NTGD3133PT1G
MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP
