الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
جمهورية الكونغو الديمقراطية
الأرجنتين
تركيا
رومانيا
لتوانيا
النرويج
النمسا
أنغولا
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
بيلاروسيا
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
الجبل الأسود
الروسية
بلجيكا
السويد
صربيا
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
مولدافيا
ألمانيا
هولندا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
فرنسا
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
البرتغال
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
إسبانيا
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NVMFD6H840NLWFT1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NVMFD6H840NLWFT1G-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 80V 14A/74A 8DFN
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 80V 14A (Ta), 74A (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12857026
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NVMFD6H840NLWFT1G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
14A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 96µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
32nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2002pF @ 40V
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
حزمة جهاز المورد
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
رقم المنتج الأساسي
NVMFD6
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
NVMFD6H840NL
مخططات البيانات
NVMFD6H840NLWFT1G
ورقة بيانات HTML
NVMFD6H840NLWFT1G-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,500
اسماء اخرى
488-NVMFD6H840NLWFT1GCT
NVMFD6H840NLWFT1G-DG
488-NVMFD6H840NLWFT1GDKR
488-NVMFD6H840NLWFT1GTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
UPA1890GR-9JG-E1-A
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A 8SOP
NVMFD5C466NWFT1G
MOSFET 2N-CH 40V 14A/49A 8DFN
NTHC5513T1
MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
NTMFD5C470NLT1G
MOSFET 2N-CH 40V 11A/36A 8DFN