رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NVMFS021N10MCLT1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NVMFS021N10MCLT1G-DG
وصف:
PTNG 100V LL SO8FL
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 8.4A (Ta), 31A (Tc) 3.6W (Ta), 49W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
المخزون:
2268 قطع جديدة أصلية في المخزون
12979400
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NVMFS021N10MCLT1G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8.4A (Ta), 31A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
23mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 42µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
850 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.6W (Ta), 49W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN, 5 Leads
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,500
اسماء اخرى
488-NVMFS021N10MCLT1GTR
488-NVMFS021N10MCLT1GCT
488-NVMFS021N10MCLT1GDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMP610DLQ-7
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
DMP2065U-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
DMP2225LQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
