رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NVMFS4C05NWFT3G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NVMFS4C05NWFT3G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 24.7A/116A 5DFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 24.7A (Ta), 116A (Tc) 3.61W (Ta), 79W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
المخزون:
12845189
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NVMFS4C05NWFT3G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
24.7A (Ta), 116A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1972 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.61W (Ta), 79W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN, 5 Leads
رقم المنتج الأساسي
NVMFS4
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NVMFS4C05NWFT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
1500
DiGi رقم الجزء
NVMFS4C05NWFT1G-DG
سعر الوحدة
0.64
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
NVMFS4C05NT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
2258
DiGi رقم الجزء
NVMFS4C05NT1G-DG
سعر الوحدة
0.71
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
