رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NVMFS5A160PLZT1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NVMFS5A160PLZT1G-DG
وصف:
MOSFET P-CH 60V 15A/100A 5DFN
وصف تفصيلي:
P-Channel 60 V 15A (Ta), 100A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
المخزون:
12856122
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NVMFS5A160PLZT1G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
15A (Ta), 100A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
7.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.6V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
7700 pF @ 20 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.8W (Ta), 200W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN, 5 Leads
رقم المنتج الأساسي
NVMFS5
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,500
اسماء اخرى
488-NVMFS5A160PLZT1GCT
NVMFS5A160PLZT1G-DG
488-NVMFS5A160PLZT1GDKR
488-NVMFS5A160PLZT1GTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NVMFS5113PLT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
8321
DiGi رقم الجزء
NVMFS5113PLT1G-DG
سعر الوحدة
1.11
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RJK6006DPP-A0#T2
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
NTD4969N-35G
MOSFET N-CH 30V 9.4A/41A IPAK
NTGS3446T1G
MOSFET N-CH 20V 2.5A 6TSOP
