رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NVMFS5C410NLWFET1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NVMFS5C410NLWFET1G-DG
وصف:
T6 40V SO8FL
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 50A (Ta), 330A (Tc) 3.8W (Ta), 167W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
المخزون:
12974968
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NVMFS5C410NLWFET1G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
Automotive, AEC-Q101
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
50A (Ta), 330A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
0.82mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
143 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
8862 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.8W (Ta), 167W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount, Wettable Flank
حزمة جهاز المورد
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN, 5 Leads
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,500
اسماء اخرى
488-NVMFS5C410NLWFET1GDKR
488-NVMFS5C410NLWFET1GCT
488-NVMFS5C410NLWFET1GTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NVMFS5C410NLAFT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
1500
DiGi رقم الجزء
NVMFS5C410NLAFT1G-DG
سعر الوحدة
1.77
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
NVMFS5C410NLWFAFT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
NVMFS5C410NLWFAFT1G-DG
سعر الوحدة
1.94
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NVMFWS3D0P04M8LT1G
MV8 P INITIAL PROGRAM
CMS3401-HF
MOSFET P-CH 30V SOT23
G16P03D3
MOSFET P-CH 30V 45A DFN3*3-8L
