رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NVMFS5C450NT3G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NVMFS5C450NT3G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 5DFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 102A (Tc) 3.6W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
المخزون:
12842943
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NVMFS5C450NT3G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Discontinued at Digi-Key
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
102A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 65µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1600 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.6W (Ta), 68W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN, 5 Leads
رقم المنتج الأساسي
NVMFS5
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
RS6G120BGTB1
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
2094
DiGi رقم الجزء
RS6G120BGTB1-DG
سعر الوحدة
1.48
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
RS6G100BGTB1
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
2423
DiGi رقم الجزء
RS6G100BGTB1-DG
سعر الوحدة
0.70
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
NVMFS5C450NAFT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
1500
DiGi رقم الجزء
NVMFS5C450NAFT1G-DG
سعر الوحدة
0.43
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSB012NE2LX
MOSFET N-CH 25V 37A/170A 2WDSON
NDD03N40Z-1G
MOSFET N-CH 400V 2.1A IPAK
NTP5404NRG
MOSFET N-CH 40V 24A/167A TO220AB
