NVMFS5C645NT1G
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

NVMFS5C645NT1G

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

NVMFS5C645NT1G-DG

وصف:

MOSFET N-CH 60V 92A 5DFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 20A (Ta), 92A (Tc) 3.7W (Ta), 79W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

المخزون:

12958781
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

NVMFS5C645NT1G المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
20A (Ta), 92A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
20.4 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1500 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.7W (Ta), 79W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN, 5 Leads

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
1,500
اسماء اخرى
2832-NVMFS5C645NT1G-488
488-NVMFS5C645NT1GTR
2832-NVMFS5C645NT1GTR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
vishay-siliconix

SQD40052EL_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)

genesic-semiconductor

G3R60MT07J

750V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET

infineon-technologies

IPTG007N06NM5ATMA1

MOSFET N-CH 60V 53A/454A HSOG-8

vishay-siliconix

SIR876BDP-T1-RE3

N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW