رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NVMFS5C677NLWFT1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NVMFS5C677NLWFT1G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 11A/36A 5DFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 11A (Ta), 36A (Tc) 3.5W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
المخزون:
1500 قطع جديدة أصلية في المخزون
12845101
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NVMFS5C677NLWFT1G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
11A (Ta), 36A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
15mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 25µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
9.7 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
620 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.5W (Ta), 37W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount, Wettable Flank
حزمة جهاز المورد
5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN, 5 Leads
رقم المنتج الأساسي
NVMFS5
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,500
اسماء اخرى
ONSONSNVMFS5C677NLWFT1G
488-NVMFS5C677NLWFT1GDKR
2156-NVMFS5C677NLWFT1G-OS
488-NVMFS5C677NLWFT1GTR
NVMFS5C677NLWFT1G-DG
488-NVMFS5C677NLWFT1GCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
