رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NVMFS5C682NLAFT3G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NVMFS5C682NLAFT3G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 8.8A/25A 5DFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 8.8A (Ta), 25A (Tc) 3.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
المخزون:
12856948
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NVMFS5C682NLAFT3G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8.8A (Ta), 25A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
21mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 16µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
410 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.5W (Ta), 28W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN, 5 Leads
رقم المنتج الأساسي
NVMFS5
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NVMFS5C682NLAFT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
1110
DiGi رقم الجزء
NVMFS5C682NLAFT1G-DG
سعر الوحدة
0.24
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
NVMFS5C682NLWFAFT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
NVMFS5C682NLWFAFT1G-DG
سعر الوحدة
0.47
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RJK0332DPB-01#J0
MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK
NTGS3447PT1G
MOSFET P-CH 12V 3.4A 6TSOP
NTP125N02RG
MOSFET N-CH 24V 15.9A TO220AB
