رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NVMFS6B75NLWFT1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NVMFS6B75NLWFT1G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 7A/28A 5DFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 7A (Ta), 28A (Tc) 3.5W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
المخزون:
12858376
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NVMFS6B75NLWFT1G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
Automotive, AEC-Q101
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7A (Ta), 28A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
30mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
11.3 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
740 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.5W (Ta), 56W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN, 5 Leads
رقم المنتج الأساسي
NVMFS6
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,500
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NVMFWS027N10MCLT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
1465
DiGi رقم الجزء
NVMFWS027N10MCLT1G-DG
سعر الوحدة
0.32
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSS209PW L6327
MOSFET P-CH 20V 580MA SOT323-3
NTD60N02R-1G
MOSFET N-CH 25V 8.5A/32A IPAK
NVB6410ANT4G
MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK