رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NVMFS6H801NT3G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NVMFS6H801NT3G-DG
وصف:
TRENCH 8 80V NFET
وصف تفصيلي:
N-Channel 80 V 23A (Ta), 157A (Tc) 3.8W (Ta), 166W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
المخزون:
12974429
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NVMFS6H801NT3G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
23A (Ta), 157A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4120 pF @ 40 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.8W (Ta), 166W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN, 5 Leads
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
488-NVMFS6H801NT3GCT
488-NVMFS6H801NT3GDKR
488-NVMFS6H801NT3GTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTH4L067N65S3H
SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-4
PJE8400_R1_00001
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
MSC750SMA170SA
MOSFET SIC 1700 V 750 MOHM D2PAK
