رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NVMFWS3D6N10MCLT1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NVMFWS3D6N10MCLT1G-DG
وصف:
PTNG 100V LL NCH SO-8FL WETTABLE
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 20A (Ta), 132A (Tc) 3.2W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
المخزون:
1569 قطع جديدة أصلية في المخزون
12997550
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NVMFWS3D6N10MCLT1G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
20A (Ta), 132A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.6mOhm @ 48A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 270µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4411 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.2W (Ta), 139W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN, 5 Leads
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,500
اسماء اخرى
488-NVMFWS3D6N10MCLT1GDKR
488-NVMFWS3D6N10MCLT1GCT
488-NVMFWS3D6N10MCLT1GTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
25P06
P60V,RD(MAX)<45M@-10V,VTH2V~3V T
AOTL66810
DESC: MOSFET N-CH 80V 65A TOLLA
PJMF130N65EC_T0_00001
650V SUPER JUNCITON MOSFET
