رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NVMYS1D2N04CLTWG
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NVMYS1D2N04CLTWG-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 44A/258A LFPAK4
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 44A (Ta), 258A (Tc) 3.9W (Ta), 134W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
المخزون:
12843973
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NVMYS1D2N04CLTWG المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
44A (Ta), 258A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 180µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
109 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6330 pF @ 20 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.9W (Ta), 134W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
LFPAK4 (5x6)
العبوة / العلبة
SOT-1023, 4-LFPAK
رقم المنتج الأساسي
NVMYS1
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
488-NVMYS1D2N04CLTWGTR
488-NVMYS1D2N04CLTWGDKR
488-NVMYS1D2N04CLTWGCT
NVMYS1D2N04CLTWG-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NTMYS1D2N04CLTWG
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
NTMYS1D2N04CLTWG-DG
سعر الوحدة
1.89
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SFT1341-C-TL-W
MOSFET P-CH 40V 10A DPAK/TP-FA
NTF3055L108T1G
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
BSC040N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
