الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
جمهورية الكونغو الديمقراطية
الأرجنتين
تركيا
رومانيا
لتوانيا
النرويج
النمسا
أنغولا
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
بيلاروسيا
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
الجبل الأسود
الروسية
بلجيكا
السويد
صربيا
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
مولدافيا
ألمانيا
هولندا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
فرنسا
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
البرتغال
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
إسبانيا
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NVMYS8D0N04CTWG
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NVMYS8D0N04CTWG-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 16A/49A 4LFPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 16A (Ta), 49A (Tc) 3.8W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12856652
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NVMYS8D0N04CTWG المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
16A (Ta), 49A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
8.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 30µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
625 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.8W (Ta), 38W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
LFPAK4 (5x6)
العبوة / العلبة
SOT-1023, 4-LFPAK
رقم المنتج الأساسي
NVMYS8
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
NVMYS8D0N04C
مخططات البيانات
NVMYS8D0N04CTWG
ورقة بيانات HTML
NVMYS8D0N04CTWG-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
NVMYS8D0N04CTWGOSTR
NVMYS8D0N04CTWGOSCT
NVMYS8D0N04CTWGOSDKR
NVMYS8D0N04CTWGOS
NVMYS8D0N04CTWGOS-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NTMYS8D0N04CTWG
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
NTMYS8D0N04CTWG-DG
سعر الوحدة
1.18
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTHS5445T1
MOSFET P-CH 8V 5.2A CHIPFET
NTD6600NT4
MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
NVMFS5C450NWFAFT1G
MOSFET N-CH 40V 24A/102A 5DFN
NTD4809NHT4G
MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK