الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PN100
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
PN100-DG
وصف:
TRANS NPN 45V 0.5A TO92-3
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 500 mA 250MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12843363
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PN100 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
500 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
45 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
400mV @ 20mA, 200mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
50nA
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
100 @ 150mA, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
625 mW
التردد - الانتقال
250MHz
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
حزمة جهاز المورد
TO-92-3
رقم المنتج الأساسي
PN100
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
PN100
ورقة بيانات HTML
PN100-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
MMBT100
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
279594
DiGi رقم الجزء
MMBT100-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
2N4401BU
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
18815
DiGi رقم الجزء
2N4401BU-DG
سعر الوحدة
0.04
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SA2028G0L
TRANS PNP 20V 1A SMINI3
2SA1806GRL
TRANS PNP 15V 0.05A SSMINI3
2SD21780RA
TRANS NPN 50V 2A MT-3
MMBT2222AWT3G
TRANS NPN 40V 0.6A SC70-3