رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SI9424DY
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
SI9424DY-DG
وصف:
MOSFET P-CH 20V 8A 8SOIC
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
12842016
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SI9424DY المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
24mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
33 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2260 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
رقم المنتج الأساسي
SI942
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
SI9424DYCT
SI9424DYTR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
DMP2022LSS-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
37400
DiGi رقم الجزء
DMP2022LSS-13-DG
سعر الوحدة
0.22
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
NTMS10P02R2G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
2644
DiGi رقم الجزء
NTMS10P02R2G-DG
سعر الوحدة
0.62
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FDS6375
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
2121
DiGi رقم الجزء
FDS6375-DG
سعر الوحدة
0.32
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTMS5838NLR2G
MOSFET N-CH 40V 5.8A 8SOIC
NTMFS4C09NT3G
MOSFET N-CH 30V 9A 5DFN
NVD6820NLT4G
MOSFET N-CH 90V 10A/50A DPAK
