رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SMUN5312DW1T1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
SMUN5312DW1T1G-DG
وصف:
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
المخزون:
1553 قطع جديدة أصلية في المخزون
12847140
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SMUN5312DW1T1G المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
22kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
22kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
60 @ 5mA, 10V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
250mV @ 300µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
-
الطاقة - الحد الأقصى
187mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
SC-88/SC70-6/SOT-363
رقم المنتج الأساسي
SMUN5312
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SMUN5312DW1T1GOSTR
SMUN5312DW1T1GOSCT
2832-SMUN5312DW1T1GTR
SMUN5312DW1T1G-DG
SMUN5312DW1T1GOSDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
RN4983,LF(CT
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
2980
DiGi رقم الجزء
RN4983,LF(CT-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
UMD2NTR
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
5644
DiGi رقم الجزء
UMD2NTR-DG
سعر الوحدة
0.07
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMC264010R
TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6
MUN5311DW1T1
TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT363
NSBC114YDP6T5G
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
