الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
جمهورية الكونغو الديمقراطية
الأرجنتين
تركيا
رومانيا
لتوانيا
النرويج
النمسا
أنغولا
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
بيلاروسيا
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
الجبل الأسود
الروسية
بلجيكا
السويد
صربيا
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
مولدافيا
ألمانيا
هولندا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
فرنسا
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
البرتغال
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
إسبانيا
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SS8550BBU
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
SS8550BBU-DG
وصف:
TRANS PNP 25V 1.5A TO92-3
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 25 V 1.5 A 200MHz 1 W Through Hole TO-92-3
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12842269
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SS8550BBU المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
PNP
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
1.5 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
25 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
500mV @ 80mA, 800mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
85 @ 100mA, 1V
الطاقة - الحد الأقصى
1 W
التردد - الانتقال
200MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
حزمة جهاز المورد
TO-92-3
رقم المنتج الأساسي
SS8550
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
SS8550BBU Datasheet
مخططات البيانات
SS8550BBU
ورقة بيانات HTML
SS8550BBU-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10,000
اسماء اخرى
2156-SS8550BBU-OS
2832-SS8550BBU
ONSONSSS8550BBU
SS8550BBU-DG
SS8550BBUFS
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
ZTX749
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
ZTX749-DG
سعر الوحدة
0.31
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
SS8550DTA
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
11758
DiGi رقم الجزء
SS8550DTA-DG
سعر الوحدة
0.05
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SD12660P
TRANS NPN 60V 3A TO220F-A1
S2SC4617G
TRANS NPN 50V 0.1A SC75 SOT416
MJE271G
TRANS PNP DARL 100V 2A TO126
2SD1991A0A
TRANS NPN 50V 0.1A MT-1