رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SSVMUN5312DW1T2G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
SSVMUN5312DW1T2G-DG
وصف:
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
المخزون:
12859363
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SSVMUN5312DW1T2G المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
22kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
22kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
60 @ 5mA, 10V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
250mV @ 300µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
-
الطاقة - الحد الأقصى
187mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
SC-88/SC70-6/SOT-363
رقم المنتج الأساسي
SSVMUN5312
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
2156-SSVMUN5312DW1T2G-OS
ONSONSSSVMUN5312DW1T2G
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NSVMUN5312DW1T2G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
3000
DiGi رقم الجزء
NSVMUN5312DW1T2G-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
XP0121000L
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SMINI5
NSBC143EDXV6T1G
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
XN0111300L
TRANS PREBIAS DUAL PNP MINI5
