رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FK4B01100L1
Product Overview
المُصنّع:
Panasonic Electronic Components
رقم الجزء DiGi Electronics:
FK4B01100L1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 12V 3.4A XLGA004
وصف تفصيلي:
N-Channel 12 V 3.4A (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount XLGA004-W-0808-RA01
المخزون:
12860666
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FK4B01100L1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Panasonic
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
12 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.4A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
30mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 236µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
5.8 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
275 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
360mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 85°C (TA)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
XLGA004-W-0808-RA01
العبوة / العلبة
4-XFLGA, CSP
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
P123939CT
P123939TR
P123939DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
H5N2307LSTL-E
MOSFET N-CH HS SW TO-263
RJK0355DSP-01#J0
MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP
NP110N055PUG-E1-AY
MOSFET N-CH 55V 110A TO263
