رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SK8403160L
Product Overview
المُصنّع:
Panasonic Electronic Components
رقم الجزء DiGi Electronics:
SK8403160L-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 18A 8HSSO
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 18A (Ta), 70A (Tc) 2W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount HSSO8-F1-B
المخزون:
2994 قطع جديدة أصلية في المخزون
12861490
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SK8403160L المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Panasonic
تعبئة
Cut Tape (CT)
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
18A (Ta), 70A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.3mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 3.35mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
22 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3920 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2W (Ta), 28W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
HSSO8-F1-B
العبوة / العلبة
8-PowerSMD, Flat Leads
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
P16263DKR
P16263CT
P16263TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
UPA1912TE(0)-T1-AT
MOSFET P-CH 12V 4.5A SC95
NP109N04PUG-E1-AY
MOSFET N-CH 40V 110A TO263-3
RJK5012DPE-00#J3
MOSFET N-CH 500V 12A 4LDPAK