رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SK8403180L
Product Overview
المُصنّع:
Panasonic Electronic Components
رقم الجزء DiGi Electronics:
SK8403180L-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 12A 8HSSO
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 12A (Ta), 39A (Tc) 2W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount HSSO8-F1-B
المخزون:
12864744
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SK8403180L المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Panasonic
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12A (Ta), 39A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
7.1mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 1.45mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1680 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2W (Ta), 19W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
HSSO8-F1-B
العبوة / العلبة
8-PowerSMD, Flat Leads
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
P16265CT
P16265TR
P16265DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
RQ3E130BNTB
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
1954
DiGi رقم الجزء
RQ3E130BNTB-DG
سعر الوحدة
0.15
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
CSD17578Q3A
المُصنِّع
Texas Instruments
الكمية المتاحة
24950
DiGi رقم الجزء
CSD17578Q3A-DG
سعر الوحدة
0.18
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
CSD17578Q3AT
المُصنِّع
Texas Instruments
الكمية المتاحة
1956
DiGi رقم الجزء
CSD17578Q3AT-DG
سعر الوحدة
0.46
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
VN0106N3-G
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
FJ4B01100L1
MOSFET P-CH 12V 2.2A XLGA004
IRF840ASTRRPBF
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
