رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
UNR52AFG0L
Product Overview
المُصنّع:
Panasonic Electronic Components
رقم الجزء DiGi Electronics:
UNR52AFG0L-DG
وصف:
TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI3
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 80 mA 150 MHz 150 mW Surface Mount SMini3-F2
المخزون:
12860476
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
UNR52AFG0L المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب مسبقة التحفيز مفردة
المُصنّع
Panasonic
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN - Pre-Biased
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
80 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
المقاوم - القاعدة (R1)
4.7 kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
10 kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
30 @ 5mA, 10V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
250mV @ 300µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
150 MHz
الطاقة - الحد الأقصى
150 mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SC-85
حزمة جهاز المورد
SMini3-F2
رقم المنتج الأساسي
UNR52A
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
UNR52AFG0LDKR
UNR52AFG0LCT
UNR52AFG0LTR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
UNR911LJ0L
TRANS PREBIAS PNP 50V SSMINI3
UNR921AJ0L
TRANS PREBIAS NPN 50V SSMINI3
UNR212X00L
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A MINI3
