رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PJC7476_R1_00001
Product Overview
المُصنّع:
Panjit International Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PJC7476_R1_00001-DG
وصف:
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 300mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-323
المخزون:
5250 قطع جديدة أصلية في المخزون
12974520
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PJC7476_R1_00001 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
PANJIT
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
300mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6Ohm @ 300mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
1.8 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
45 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
350mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-323
العبوة / العلبة
SC-70, SOT-323
رقم المنتج الأساسي
PJC7476
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
3757-PJC7476_R1_00001TR
3757-PJC7476_R1_00001DKR
3757-PJC7476_R1_00001CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NVTYS006N06CLTWG
T6 60V N-CH LL IN LFPAK33
NVD5863NLT4G-VF01
MOSFET N-CH 60V 14.9A/82A DPAK
IPT65R190CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 650V 8HSOF
