رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PJD50N10AL-AU_L2_000A1
Product Overview
المُصنّع:
Panjit International Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PJD50N10AL-AU_L2_000A1-DG
وصف:
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 6.3A (Ta), 42A (Tc) 2W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-252
المخزون:
1302 قطع جديدة أصلية في المخزون
12972762
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PJD50N10AL-AU_L2_000A1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
PANJIT
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6.3A (Ta), 42A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
25mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1485 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2W (Ta), 83W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
PJD50
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
3757-PJD50N10AL-AU_L2_000A1TR
3757-PJD50N10AL-AU_L2_000A1DKR
3757-PJD50N10AL-AU_L2_000A1CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PJD50N10AL_L2_00001
المُصنِّع
Panjit International Inc.
الكمية المتاحة
2956
DiGi رقم الجزء
PJD50N10AL_L2_00001-DG
سعر الوحدة
0.28
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NVH082N65S3F
SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 82MOH
PJW5N10_R2_00001
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
NTMJS0D9N03CGTWG
MOSFET N-CH 30V LFPAK8
