رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PJP12NA60_T0_00001
Product Overview
المُصنّع:
Panjit International Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PJP12NA60_T0_00001-DG
وصف:
600V N-CHANNEL MOSFET
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 12A (Ta) 225W (Tc) Through Hole TO-220AB
المخزون:
12997396
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PJP12NA60_T0_00001 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
PANJIT
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
700mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1492 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
225W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220AB
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
PJP12
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
3757-PJP12NA60_T0_00001CT-DG
3757-PJP12NA60_T0_00001TR
3757-PJP12NA60_T0_00001TR-DG
3757-PJP12NA60_T0_00001
3757-PJP12NA60_T0_00001CT
3757-PJP12NA60_T0_00001DKRINACTIVE
3757-PJP12NA60_T0_00001CTINACTIVE
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SIHB055N60EF-GE3
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
IXTH60N20X4
MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-247
SIDR402EP-T1-RE3
N-CHANNEL 40 V (D-S) 175C MOSFET
