رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PJQ1906_R1_00001
Product Overview
المُصنّع:
Panjit International Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PJQ1906_R1_00001-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 300MA DFN-3L
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 300mA (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 3-DFN (1x0.6)
المخزون:
13001216
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PJQ1906_R1_00001 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
PANJIT
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
300mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.2V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.2Ohm @ 300mA, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
0.9 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
45 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
700mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
3-DFN (1x0.6)
العبوة / العلبة
3-UFDFN
رقم المنتج الأساسي
PJQ1906
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
3757-PJQ1906_R1_00001TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
18N20
N 200V, RD(MAX)<0.16@10V,VTH1.0V
IPP033N04NF2SAKMA1
TRENCH PG-TO220-3
IXFN120N60X3
DISCRETE MOSFET 120A 600V X3 SOT
