رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PJQ4602_R1_00001
Product Overview
المُصنّع:
Panjit International Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PJQ4602_R1_00001-DG
وصف:
MOSFET N/P-CH 30V 6.4A 8DFN
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 6.4A (Ta), 18.5A (Tc), 6.4A (Ta), 18A (Tc) 2W (Ta), 17.8W (Tc) Surface Mount DFN3030B-8
المخزون:
12971126
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PJQ4602_R1_00001 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
PANJIT
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Not For New Designs
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
N and P-Channel Complementary
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6.4A (Ta), 18.5A (Tc), 6.4A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
28mOhm @ 6A, 10V, 31mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.1V @ 250µA, 2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
7.8nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
343pF @ 15V, 870pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى
2W (Ta), 17.8W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-PowerWDFN
حزمة جهاز المورد
DFN3030B-8
رقم المنتج الأساسي
PJQ4602
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
3757-PJQ4602_R1_00001DKR
3757-PJQ4602_R1_00001TR
3757-PJQ4602_R1_00001CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PJS6816_S1_00001
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A SOT23-6
2N7002KDW-AU_R1_000A1
MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
PJS6601-AU_S1_000A1
MOSFET N/P-CH 20V 4.1A SOT23-6
