الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PJQ4848P-AU_R2_000A1
Product Overview
المُصنّع:
Panjit International Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PJQ4848P-AU_R2_000A1-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 40V 9A/37A 8DFN
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 40V 9A (Ta), 37A (Tc) 2.4W (Ta), 39.6W (Tc) Surface Mount DFN3333B-8
المخزون:
10781 قطع جديدة أصلية في المخزون
12970589
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PJQ4848P-AU_R2_000A1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
PANJIT
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
15mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1040pF @ 20V
الطاقة - الحد الأقصى
2.4W (Ta), 39.6W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-PowerWDFN
حزمة جهاز المورد
DFN3333B-8
رقم المنتج الأساسي
PJQ4848
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
PJQ4848P-AU
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
3757-PJQ4848P-AU_R2_000A1TR
3757-PJQ4848P-AU_R2_000A1CT
3757-PJQ4848P-AU_R2_000A1DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PJX8807_R1_00001
MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SOT563
PJQ5866A_R2_00001
MOSFET 2N-CH 60V 7A/40A 8DFN
PJQ5606_R2_00001
MOSFET N/P-CH 30V 7A 8DFN
PJS6600_S1_00001
MOSFET N/P-CH 30V 1.6A SOT23-6